Micron Technology, ABD’nin Virginia eyaletindeki Manassas üretim tesisinde gelişmiş 1α (1-alpha) DRAM teknolojisini devreye aldı. Böylece şirket, en ileri DDR4 uyumlu üretim sürecini ilk kez ABD içinde kullanmaya başlamış oldu.
2 milyar doların üzerindeki yatırım, ABD hükümetinin CHIPS ve Bilim Yasası kapsamında sağladığı 275 milyon dolarlık destekle hız kazanırken, tesisin DDR4 wafer üretim kapasitesinin dört kat artırılması planlanıyor. Üretim genişletmesinin yıl sonuna kadar tamamlanması hedefleniyor.
Sektörde birçok üreticinin odağını DDR5 ve HBM gibi yeni nesil çözümlere çevirmesi, DDR4 tarafında ciddi bir arz baskısı oluşturdu. Özellikle otomotiv, havacılık, savunma ve endüstriyel sistemler gibi uzun kullanım ömrüne sahip alanlarda DDR4 hâlâ kritik önem taşıyor.
Yeni 1α üretim süreci, önceki nesil 1z düğümüne göre yaklaşık %40 daha yüksek bit yoğunluğu sunarken, 15nm altı hücre boyutlarına ulaşabilen ilk DRAM teknolojilerinden biri olarak dikkat çekiyor. Micron, maliyet avantajı sağlamak adına üretimde EUV yerine DUV litografi yöntemini kullanmayı sürdürüyor.
Bu yatırım, şirketin ABD genelinde duyurduğu 200 milyar dolarlık üretim genişleme stratejisinin bir parçası konumunda. New York’taki yeni üretim kampüsünün inşası sürerken, Idaho’daki tesisin ise 2027 ortasında faaliyete geçmesi bekleniyor. Şirket ayrıca ilerleyen dönemde Virginia tesisine HBM paketleme kabiliyetleri eklemeyi de değerlendiriyor.
Uzmanlara göre DDR4 talebinin kısa vadede tamamen ortadan kalkması beklenmiyor. Bu nedenle Micron’un üretim hamlesi, özellikle kritik sektörlerde eski nesil bellek ihtiyacını karşılamak adına önemli bir denge unsuru olabilir.